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レポート番号
レポート名
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23R-0788-1
OBC：Netpower製OBCティアダウン
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23R-0783-1
Apple製 M3のパッケージ基板配線レイアウト(M1との比較)レポート
3
23R-0771-1
電動コンプレッサ：比亜迪（BYD）製BYD「海豹 (SEAL）」搭載）基板回路解析レポート
4
23R-0755-1
Tesla Model Y(2023) インバータ基板回路解析レポート
5
23R-0749-2
Infineon車載用SiC MOSFET (AIMBG120R010M1)プロセス解析レポート
6
23R-0749-1
Infineon車載用SiC MOSFET (AIMBG120R010M1)構造解析レポート
7
23R-0730-2
Infineon 2000V SiC MOSFET IMYH200R100M1HXKSA1 プロセス解析レポート
8
23R-0730-1
Infineon 2000V SiC MOSFET IMYH200R100M1HXKSA1 構造解析レポート
9
23R-0717-1
東芝製 DC ブラシレスモーター駆動用IC TPD4164F 構造解析
10
23R-0698-1
Infineon製_Gate Driver(1EDI3020AS)_1次側チップ部分回路解析
11
23R-0615-1
高密度実装プリント基板レイアウト解析レポート（iPhone 15 pro Max）
12
23R-0613-3
BASIC Semiconductor製 Gen2 SiC MOSFET短絡耐量評価レポート
13
23R-0613-2
BASIC Semiconductor製 Gen2 SiC MOSFETプロセス解析レポート
14
23R-0613-1
BASIC Semiconductor製 Gen2 SiC MOSFET構造解析レポート
15
23R-0605-1
Realme GT Neo5 160W/240W比較
16
23R-0575-3
GaN HEMT(650V)：Cambridge CGD65B200S2 回路解析レポート
17
23R-0575-2
GaN HEMT(650V)：Cambridge CGD65B200S2 プロセス解析レポート
18
23R-0575-1
GaN HEMT(650V)：Cambridge CGD65B200S2 構造解析レポート
19
23R-0574-1
SiC MOSFET(1200V)：Diodes DMWS120H100SM4 構造解析レポート
20
23R-0523-1
NEXPERIA 150V GaN HEMT GAN7R0-150LBE構造解析レポート
21
23R-0520-1
Infineon製GaN FET内蔵ドライバ IGI60F1414A1L 回路解析
22
23R-0518-1
TI製GaN FET内蔵ドライバ LMG3522R030-Q1 回路解析
23
23R-0394-5
STMicro SiCダイオード STPSC20G12-Y 解析レポート
24
23R-0394-4
Onsemi SiCダイオード FFSH10120A-F085 解析レポート
25
23R-0394-3
INFINEON SiCダイオード IDH06G65C6 解析レポート
26
23R-0394-2
STMicro SiCダイオード STPSC2006CW 解析レポート
27
23R-0392-1
TI製低ノイズLDO TPS7A94 回路解析
28
23R-0348-3
ボディECU：BYD製（比亜迪 (BYD)「海豹 (Seal）」搭載）ボディーコントローラー（Right）ティアダウンレポート
29
23R-0299-1
ON Semi 1200V SiC MOSFET(NTH4L040N120M3S) 短絡耐量評価
30
23R-0294-1
iPad Pro 12.9inch miniLEDの調査
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更新年月：2023/11
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